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英特尔宣布技术新路线:从“纳米”进入“埃米”时代

发布时间:2021-07-29 17:23:36

自英特尔发布IDM2.0以来,新CEO帕特·基辛格正带领英特尔进行更多变革。


7月27日,英特尔公布了制程工艺和封装技术创新路线图,整体发展策略一路规划到了2025年。


在发布会上,帕特·基辛格和一众高管介绍了两方面的重要信息。其一是英特尔宣布了未来5年的技术路线图,对芯片的制程工艺进行了新的命名从“纳米”进入“埃米”时代。10纳米Enhanced SuperFin更名为“Intel 7”,Intel 7纳米更名为“Intel 4”,其后是“Intel 3”,下一代将是“Intel 20A”、 “Intel 18A”。



其中,A代表埃米,这是晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位,1等于纳米的十分之一。英特尔表示,随着行业越来越接近“1纳米”节点,英特尔改变命名方式,这一命名反映了向新时代的过渡,即工程师在原子水平上制造器件和材料的时代——半导体的埃米时代


对于纳米的命名,一直以来也有诸多争议,从1997年开始,基于纳米的传统制程节点命名方法,不再与晶体管实际的栅极长度相对应。比如由于各公司定义不同,往往业内将英特尔10纳米和英特尔7纳米工艺进行比较。而在业界持续从5纳米向3纳米、2纳米发展的同时,英特尔欲重新定义命名规则和竞争策略,重回领先制程的地位


另一方面,英特尔宣布了代工服务(IFS)的最新进展,亚马逊(AWS)将成为首个使用英特尔代工服务(IFS)封装解决方案的客户,众所周知,亚马逊(AWS)一直在自研芯片,不过英特尔并未透露具体的合作产品。在Intel 20A制程工艺技术上,英特尔表示将与高通公司进行合作,Intel 20A预计将在2024年推出。晶圆代工市场也更加热闹,三星一掷千金想要和台积电决一雌雄,如今英特尔也发起代工的挑战,欲重回巅峰。


具体从技术路线看,根据英特尔的介绍,基于FinFET晶体管优化,Intel 7与Intel 10纳米SuperFin相比,每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采Intel 7工艺,之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产。



Intel 4完全采用EUV光刻技术,凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进,Intel 4将在2022年下半年投产,并于2023年出货,这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids;Intel 3较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升,在芯片面积上也会有额外改进。Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。


英特尔表示,Intel 20A具有RibbonFET和PowerVia两大突破性技术。RibbonFET是英特尔对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。


同时,从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中,将于2025年初推出,它将对RibbonFET进行改进,提升晶体管性能。英特尔还表示,有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与ASML密切合作,确保这一行业突破性技术取得成功,超越当前一代EUV。


帕特·基辛格表示,摩尔定律仍在持续生效,对于未来十年走向超越“1纳米”节点的创新,英特尔有着一条清晰的路径。在穷尽元素周期表之前,摩尔定律都不会失效。



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