英特尔宣布技术新路线：从“纳米”进入“埃米”时代

自英特尔发布IDM2.0以来，新CEO帕特·基辛格正带领英特尔进行更多变革。

7月27日，英特尔公布了制程工艺和封装技术创新路线图，整体发展策略一路规划到了2025年。

在发布会上，帕特·基辛格和一众高管介绍了两方面的重要信息。其一是英特尔宣布了未来5年的技术路线图，对芯片的制程工艺进行了新的命名，从“纳米”进入“埃米”时代。10纳米Enhanced SuperFin更名为“Intel 7”，Intel 7纳米更名为“Intel 4”，其后是“Intel 3”，下一代将是“Intel 20A”、 “Intel 18A”。

其中，A代表埃米，这是晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位，1等于纳米的十分之一。英特尔表示，随着行业越来越接近“1纳米”节点，英特尔改变命名方式，这一命名反映了向新时代的过渡，即工程师在原子水平上制造器件和材料的时代——半导体的埃米时代。

对于纳米的命名，一直以来也有诸多争议，从1997年开始，基于纳米的传统制程节点命名方法，不再与晶体管实际的栅极长度相对应。比如由于各公司定义不同，往往业内将英特尔10纳米和英特尔7纳米工艺进行比较。而在业界持续从5纳米向3纳米、2纳米发展的同时，英特尔欲重新定义命名规则和竞争策略，重回领先制程的地位。

另一方面，英特尔宣布了代工服务（IFS）的最新进展，亚马逊（AWS）将成为首个使用英特尔代工服务（IFS）封装解决方案的客户，众所周知，亚马逊（AWS）一直在自研芯片，不过英特尔并未透露具体的合作产品。在Intel 20A制程工艺技术上，英特尔表示将与高通公司进行合作，Intel 20A预计将在2024年推出。晶圆代工市场也更加热闹，三星一掷千金想要和台积电决一雌雄，如今英特尔也发起代工的挑战，欲重回巅峰。

具体从技术路线看，根据英特尔的介绍，基于FinFET晶体管优化，Intel 7与Intel 10纳米SuperFin相比，每瓦性能将提升约10%-15%。2021年即将推出的Alder Lake客户端产品将会采Intel 7工艺，之后是面向数据中心的Sapphire Rapids预计将于2022年第一季度投产。

Intel 4完全采用EUV光刻技术，凭借每瓦性能约20%的提升以及芯片面积的改进，Intel 4将在2022年下半年投产，并于2023年出货，这些产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids；Intel 3较之Intel 4将在每瓦性能上实现约18%的提升，在芯片面积上也会有额外改进。Intel 3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。

英特尔表示，Intel 20A具有RibbonFET和PowerVia两大突破性技术。RibbonFET是英特尔对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

同时，从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，提升晶体管性能。英特尔还表示，有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。英特尔正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。

帕特·基辛格表示，摩尔定律仍在持续生效，对于未来十年走向超越“1纳米”节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效。